片上等离子体电路提供了有可靠的路线，以满足信息处理中的设备密度和数据带宽的不断增加的要求。作为关键构建块，电动纳米级等离子体源载体近年来引起了广泛的兴趣。其中，由于超快量子 - 机械隧道响应和可调性，已经证明了基于非弹性电子隧道（IET）的表面等离子体（SP）源作为一种吸引人的候选者。然而，由于所示的基于IET的SP源的主要屏障是它们的低SP激励效率，因为电子的弹性隧道比无弹性隧道更有效。在这里，实验室通过引入谐振非弹性电子隧道（RIET） - 近在可见/近红外（NIR）频率的最近理论上的提案，并展示高度效率的电驱动的SP来源来除去该屏障。在我们的系统中，RIET由锡/ Al2O3金属量子阱（MQW）异质结构支持，而单晶银纳米棒（AgNRS）用于SP生成（局部表面等离子体（LSP））。原则上，这种RIET方法可以推动靠近统一的外部量子效率（EQE），不仅为高性能等离子体电路开辟了一个新的SP源时代，还可以实现一个新的光学传感应用。

RIETS通过MQW实现了高效的电驱动的等离子体源示意图